200
mw
工作温度范围
T
-55~125(陶封)，-40~85（塑封）
0
C存储温度范围
TSTG
-65 ~ 150
0
C输入/输出信号规则
- 所有的CMOS电路的输入端不能浮置，最好使用一个上拉或下拉电阻，以保护器件不受损害。
- 在某些应用场合，输入端要串入电阻，以限制流过保护二极管的电流不大于10mA。
- 输入脉冲信号的上升和下降时间必须小于15us, 否则必须经施密特电路整形后方可输入CMOS开关电路。
- 避免CMOS电路直接驱动双极型晶体管，否则可能导致CMOS电路的功耗超过规范值。
- CMOS缓冲器或大电流驱动器由于其本身的低输出阻抗，必须注意这些电路采用大负载电容（≥500PF）时等效于输出短路的情况。
- CMOS电路的输出不能并接成线逻辑状态。因为导通的PMOS管和导通的NMOS管的低输出阻抗会将电源短路。
主要封装形式
- 双列直插（DIP封装）
- 扁平封装（PLCC封装）
图解主板BIOS和CMOS工作原理